乐鱼全站app


 

东芝开发出最快的嵌入式NAND闪存模块设备控制器

日期:2022-07-09 08:00:19 浏览次数:2 分类:产品 来源:乐鱼全站app下载 作者:乐鱼官网app下载

  东京—东芝公司2014年2月25日宣布,该公司已经开发出全球最快的符合JEDEC固态技术协会(JEDEC)制定的通用闪存存储(UFS)Ver.2.0和UFS统一存储器扩展(UME)Ver.1.0标准的嵌入式NAND闪存模块设备控制器。集成了这款控制器的嵌入式NAND闪存模块可实现比目前低端到高端移动设备广泛使用的e•MMC™[1]标准模块快10倍左右的随机读取性能。这款设备控制器可以在指甲大小的封装内实现个人电脑固态硬盘(SSD)的同等性能。

  东芝已经在2月12日加州旧金山举行的2014年IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上展示了这款新设备控制器。

  智能手机和平板电脑CPU处理能力和DRAM容量的最新进步让用户得以畅享更强大的应用,包括高清视频播放器和功能丰富的游戏。这些设备同样需要使用嵌入式NAND闪存模块作为主要的非易失性存储器。展望未来,符合UFS标准的嵌入式NAND闪存将凭借其拥有的更高性能在高端移动设备上获得广泛使用。

  当前的嵌入式NAND闪存模块已经越来越无法存储所有数据,而这些数据是设备控制器的片上RAM中执行主机命令所需要的,主要原因是其不断增大的尺寸;设备控制器必须多次从NAND闪存中读取数据,从而放慢了命令的执行速度。其结果是人们对更强随机读取性能和更佳用户体验的需求不断增加。然而,由于从NAND闪存读取数据需要数10微秒的时间,所以很难持续增量式地改进随机读取性能。

  东芝已经开发出一款新的嵌入式NAND闪存模块设备控制器,可以解决这些问题。

  新的设备控制器在主机端DRAM中存储执行主机命令所需的数据,从而减少了从NAND闪存中进行读取操作的数量。这样能将处理读取命令所需的时间减半。该款设备控制器向主机端DRAM写入数据和从主机端DRAM读取数据的过程符合UFS UME Ver.1.0标准。UFS UME Ver.1.0标准是与UFS Ver.2.0同时发布的。

  东芝还开发了一个可平行执行来自主机读取命令的硬件引擎,并将集成到了新的设备控制器内。此举能实现比传统技术高出两倍的随机读取性能。

  这两项东芝新技术已经打造出一款带有设备控制器的嵌入式NAND闪存模块,其4KB随机读取性能可达60 kIOPS[2]以上[3]。这一性能水平大约比符合e•MMC Version 5.0标准的模块高出10倍。

  新设备控制器还集成了由东芝设计的新模拟电路技术,支持每通道5.8Gbps的UFS超高速串行通信,这样可以避免增加功耗。

  移动设备如果采用带有新设备控制器的嵌入式NAND闪存模块,将可以获取更高的随机读取性能,提升用户互动的响应时间,缩短应用启动时间,从而提升整体用户体验。

  带有新设备控制器的嵌入式NAND闪存模块的样品预计从2014年上半年度开始出货。

  [1] e•MMC™是采用JEDEC e•MMC™标准规格制造的嵌入式存储器产品的商标和产品类别

  [3] 相关条件如下:NAND闪存芯片数为8个,存取区大小为8GB,主机延迟为1微秒。

  据韩国媒体TheLce报道,华为正在寻求一个计划,试图自行处理NAND闪存的封装过程,最终实现半导体供应链自主化。据悉,华为计划采购NAND闪存晶圆,以便后续计划实施,目前已为此筹建相关设施,预计今年下半年建立全面的量产体系。与其他产品相比NAND闪存更容易实现国产采购,开发难度也没有那么高,在国产企业中,长江存储已经逐渐在半导体行业打出名头,其市场份额也从2020年的1%增长到去年三季度的2.5%。此次华为采购的NAND闪存也正是从长江存储处获得,至于后续的合作计划,目前依然比较神秘。

  TheLec援引业内人士消息透露,华为正在寻求一个计划,试图自行处理 NAND 闪存的封装过程,争取半导体供应链自主化。据称,华为方面计划采购NAND闪存晶圆,自行完成测试封装工序,已为此筹建相关设施,预计最早从今年下半年开始建立全面的量产体系。TheLec称,华为智能手机此前搭载的NAND闪存都是已经完成封装的成品,不过今后将通过晶片的形式直接获得NAND闪存供应,并可自行处理以后所需的封测等过程。报道指出,与其他半导体相比,NAND闪存更容易实现国产采购,开发难度低也是一大原因,而且目前华为正在从中国主要的闪存制造商长江存储采购NAND闪存。据Omdia数据,中国企业长江存储在NAND闪存市场份额,已经从2020年的

  据韩媒thelec报道,华为方面计划采购NAND闪存晶圆,自行完成测试封装工序,已为此筹建相关设施,或将于下半年开始量产。thelec分析称,该举措或为顺应中国官方的半导体供应链自主化倡议。该媒体分析称,NAND闪存具备较为有利的国产替代条件,其援引Omdia数据,中国企业长江存储在NAND闪存市场份额,已经从2020年 的1%,增长到去年三季度的2.5%。

  宇瞻科技内存模块制造商总裁张家騉1日表示,由于供应商对产能扩张持谨慎态度,且铠侠与西部数据日本合资工厂因原材料污染大幅减产,NAND闪存将在第二季度开始出现供应不足。据《电子时报》报道,张家騉预计,4月起NAND闪存芯片总产量将迅速缩减,导致第二季度供不应求,2022年的总位元供应量预计将增长25-30%,较之前预计的30%增幅有所下调。与此同时,下游设备组装商和供应商持有的NAND闪存芯片库存正处于适合其需求的水平,因为下游厂商希望减轻不同芯片类型间库存不均衡的影响。张家騉预估,NAND闪存的价格将在2022年上半年面临下行压力。而随着逻辑IC短缺的缓解,下游器件组装商和供应商预计将在下半年加速库存积累。

  全球半导体企业为了率先批量生产200层以上NAND闪存,展开了激烈的技术竞争。三星电子计划在2022年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存,并在明年上半年开始批量生产。据businesskorea报道,三星电子原计划在2021年末开始量产176层NAND,但考虑到市场情况,推迟到了2022年第一季度。不过美国的美光已经开始量产176层NAND,业内人士预测,三星电子将加快200层以上NAND闪存量产的步伐,以夺回被美光夺走的技术领先地位。业内人士称,三星电子将在128层的单片存储器上叠加96层,推出224层的NAND闪存。与176层相比,224层NAND闪存的生产效率和数据传输速度将提高30%。另外,美光和SK海力士也在

  NAND闪存厂商都准备在2022年底到2023年期间推出200层以上的芯片产品,这是行业向更高密度的3D NAND闪存过渡的里程碑。据《电子时报》援引消息人士称,在这些供应商中,三星电子和美光科技可能是首批开始批量生产200层以上3D NAND闪存芯片的厂商。该人士表示,三星在韩国平泽的新工厂于2021年下半年开始生产,并将在今年提高176层3D NAND芯片的产量。过渡到176层3D NAND闪存制造,预计将使三星新工厂的总产量在2022年提高到每月5万个晶圆。此外,三星还计划在中国西安工厂扩大128层3D NAND芯片的产量。目前,该工厂正在建设第二期工厂,每月可生产13万至14万片晶圆。第一期工厂的月均生产量为12万个。该消息

  _610705.rar

  _DST-3000数据手册

  电脑音频设计的最佳方案

  系统设计.pdf

  有奖直播|TI 新一代Sitara AM62处理器革新人机交互——产品介绍和相关资源

  预报名赢京东卡!市场上最广泛的光学传感方案组合—艾迈斯欧司朗光学技术论坛

  有奖直播报名|ST 宽禁带高性能碳化硅与氮化镓产品、技术及应用案例分享

  Microchip有奖直播报名|利用TA100-VAO对ADAS和IVI系统的CAN FD进行安全引导和消息身份验证

  IC China 2022准备就绪,注册通道现已开启,前1000名预约注册观众更有精美参观大礼包赠送

  2022 Digi-Key KOL 系列: 你见过1GHz主频的单片机吗?Teensy 4.1开发板介绍

  51单片机教程:数码管动态显示(0~99999999)74hc138驱动

  【报名赢小米手环、膳魔师保温杯等好礼】罗德与施瓦茨HDMI 1.4b/2.1 接口测试

  单片机开启嵌入式到云端之旅 系列在线研讨会

  是德科技:五招教您最小化合格/不合格的误判风险在线直播预报名、看直播、填问卷、好礼相送!

  站点相关:嵌入式处理器嵌入式操作系统开发相关FPGA/DSP总线与接口数据处理消费电子工业电子汽车电子其他技术存储技术综合资讯论坛电子百科